报告时间：2021 年12 月15 日9:00-10:30
报告地点：腾讯会议号：221-832-422
报告人：Homer Alan Mantooth 教授（IEEE Fellow）
主讲人简介：
Homer Alan Mantooth 教授是IEEE 会士(IEEE Fellow)，2017-2018 年担任IEEE 电力电子协会(PELS)主席。他于1990 年从美国佐治亚理工大学获得博士学位。1991-1998 年加入Analogy 公司并担任杰出技术专家，1998 年他回到阿肯色大学-菲耶特维尔校区担任学校特聘教授(Distinguished Professor)。他建立了阿肯色大学-NSF 和美国能源部的多个联合研究中心，包括POETS，NCREPT 和GRAPES。他在电气电子领域荣获享誉世界的声誉，他对于数/模混合信号的集成电路芯片设计、半导体器件建模、应用相关技术和功率半导体器件封装都有杰出的造诣和突出的贡献。于2019 年应邀创办了IEEE Open Journal of Power Electronics 期刊。
讲座简介：
宽禁带器件作为第三代半导体，具有低开关损耗的优良特性，可以替代传统硅器件，进一步提高系统的功率密度。而宽禁带器件在应用中，由于其高开关斜率问题，会带来高振铃、电磁噪声、过冲电压和误触发等风险。为抑制上述问题，完全利用宽禁带器件的优良特性，需要设计新型的定制化封装技术。本报告将集中探讨多个宽禁带器件的封装技术关键问题，介绍阿肯色大学在如下关键课题上的研究成果：氮化镓器件的3D 封装结构、10kV 碳化硅器件封装的优化设计、以及高温碳化硅器件的封装设计等。
文/赵爽 审核/赵吉文
